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调整氧的耦合角以控制薄膜特性，新电子材料开发的新路发表时间：2016-04-20 16:07 对于由钙钛矿结构的过渡金属氧化物构成的异质结构薄膜，日本京都大学的研究人员成功通过改变氧配位环境（过渡金属与氧之间的耦合角）控制了其薄膜特性。这 有助于将来电子领域及自旋电子领域的新材料开发。过渡金属氧化物可显示出普通半导体无法实现的多样的特性，是目前业界广泛研发的功能性材料…… |